本发明提供一种固相反应的研磨块，所述研磨块包括如下重量份数的组分：磨料15～35份，粘结剂45～60份，液体弹珠15～25份；所述研磨块还包括分布在研磨块内的气孔；所述液体弹珠包括外壁与芯部；所述外壁为疏水纳米磁性颗粒，所述芯部为反应液或润滑液；所述研磨块中液体弹珠和磨料定向排布于粘结剂中。在研磨半导体晶片过程中，在摩擦作用下研磨块中定向排布在磨料附近的液体弹珠在机械力的作用下破碎，其内部的液体逐渐释放出来，与被研磨半导体晶面表面发生固相反应生成钝化层，并且液体弹珠会因机械作用而形成凹坑能起到容屑的作用，提高了固相反应研磨盘的自锐性，研磨后得到低表面粗糙度的半导体晶片。

现有技术公开一种用于SiC晶片研磨的固相反应研磨盘，将含有磨粒、含铁磁性粒子、过氧化氢胶囊和树脂结合剂的混合料置于磁场条件下，含铁磁性粒子裹挟磨粒和过氧化氢胶囊沿着磁力线方向做定向排布，固化后所得研磨盘具有较佳的强度、硬度和良好的研抛性能。但现有技术所述研磨盘中磨粒的均匀排布是依靠在磁场条件下，含铁磁性粒子驱动磨粒实现定向排布，但磁性粒子同时也要驱动过氧化氢胶囊的定向排布，所以在一些晶片缺陷部分，磨粒和过氧化氢胶囊就存在部分区域无法做到规律排布，导致SiC晶片研磨效果一致性不强的问题，从而影响SiC晶片研磨抛光效果。并且现有技术所述的固相反应研磨盘仅应用在SiC晶片研磨抛光上，对于常见金刚石、碳化硅、蓝宝石、氮化镓、磷化铟、砷化镓等半导体晶片的研磨和抛光，现有技术并未提及相关加工方法。