先进制造技术

本发明提供的磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫，能够通过外加磁场控制抛光垫的硬度实现控制抛光垫中的金属在电解质溶液中对SiC晶片的化学腐蚀作用，本申请将金属粉末固结在抛光垫中，金属粉末颗粒在不具有腐蚀性的电解质溶液中能对SiC晶片表面发生接触腐蚀，极强氧化性的空穴将SiC表面氧化成硬度较低、结合力较小的SiO2氧化层，然后在磨料的机械作用下实现对SiC晶片表面的高效材料去除。通过调节抛光垫中的磨料对SiC表面腐蚀层的机械去除，实现化学机械作用平衡的高效材料去除、获得高质量SiC晶片表面。

本发明要解决的技术问题是克服金属接触腐蚀抛光中抛光液浪费、化学机械作用不可控的问题，以及克服磁流变抛光中强氧化性抛光液对设备和抛光垫腐蚀问题。

本申请提供的磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫，能够通过外加磁场控制抛光垫的硬度实现控制抛光垫中的金属在电解质溶液中对SiC晶片的化学腐蚀作用，调节抛光垫中的磨料对SiC表面腐蚀层的机械去除，实现化学机械作用平衡的高效材料去除、获得高质量SiC晶片表面。

 (1)本发明提供的磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫，将金属粉末固结在抛光垫中，金属粉末颗粒在不具有腐蚀性的电解质溶液中能对SiC晶片表面发生接触腐蚀，极强氧化性的空穴将SiC表面氧化成硬度较低、结合力较小的SiO2氧化层，然后再磨料的机械作用下实现对SiC晶片表面的高效材料去除。本发明提供的磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫对SiC晶片的抛光方法，极强氧化性的空穴只再SiC晶片表面产生，对设备和环境友好，能降低后续的设备维护和抛光废液处理成本。

 (2)本发明提供的磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫应用于SiC晶片的抛光加工时，可以通过磁场控制金属接触腐蚀的化学作用强度，同时可以通过控制磨料对SiC晶片表面材料去除的机械作用强度，从而实现化学机械抛光中的化学作用和机械作用的平衡，能够实现粗、精抛光同步实现，减少加工工序，提高加工效率，获得高质量加工表面。