生物、医药和医疗器械技术

随着功率半导体的发展，传统互连材料如无铅锡膏、导电胶等已无法适应高功率器件的极端高温应用场景。在高功率的应用场景下，除半导体材料本身需要耐高温之外，连接芯片的贴装材料具有优异的导电导热性和与热适配性。传统的贴装材料如焊膏已无法适应如此极端恶劣的应用场景，为了满足高功率器件苛刻的工作环境要求，必须开发新的芯片连接材料。因此新型芯片互连材料，如烧结材料应运而生。随着近二十年的研究开发，银烧结浆料的开发已较为完善，但仍存在着成本过高和电迁移的问题，很大程度上限制了其大范围的工业应用。铜烧结浆料是目前很有潜力的能够代替银的材料，但是铜颗粒易氧化、烧结接头强度低仍是急需解决的问题。本项目是通过制备高强度和高可靠性的微米级铜银复合烧结浆料，改善目前银和铜烧结浆料各自存在的缺陷和不足，以低廉的价格满足功率半导体的封装需求。通过双组分溶剂体系优化了微米级铜银共混（Cu/Ag）烧结浆料的浆料的组成，同时针对新型复合烧结材料优化了烧结工艺，烧结接头剪切强度高于50MPa，该指标目前高于其他文献报道的相关微米尺度的烧结材料。