半导体集成电路用陶瓷基板的研发
需求背景:
随着半导体技术的不断发展,对半导体集成电路(IC)的要求也越来越高。陶瓷基板由于其具有高导热性、高绝缘性、低膨胀系数等优点,已成为半导体 IC 封装中不可或缺的材料之一。然而,目前市场上的陶瓷基板仍存在以下问题:
热膨胀系数不匹配:传统的陶瓷基板与 IC 芯片的热膨胀系数不匹配,导致封装件的热疲劳失效,影响其可靠性。
电子迁移:陶瓷基板中的金属互连线容易受到电子迁移和氧化的影响,导致电性能下降。
气孔和裂纹:陶瓷基板中的气孔和裂纹会影响其绝缘性能和机械强度,降低产品的可靠性和使用寿命。
因此,研发新型的半导体集成电路用陶瓷基板,满足不断提高的性能要求,具有重要的应用价值和市场前景。
1. 材料设计和制备:需要选择合适的材料体系,并采用特殊的制备工艺控制材料的微观结构和成分均匀性,以获得具有优异热膨胀匹配性、电子迁移性能和机械强度的陶瓷基板。
2. 制备工艺优化:需要优化制备工艺,控制陶瓷基板的厚度、表面粗糙度、缺陷密度等关键参数,以满足半导体 IC 封装的要求。
3. 微纳加工技术:需要开发新型的微纳加工技术,如激光微加工、电化学微加工等,以在陶瓷基板上制备高质量、高密度的金属互连线。
4. 可靠性测试和评估:需要建立科学合理的可靠性测试和评估方法,对陶瓷基
1. 开发具有优异热膨胀匹配性、电子迁移性能和机械强度的新型陶瓷基板材料,满足半导体 IC 封装的要求。
2. 优化制备工艺,制备出高质量、高密度、高可靠性的陶瓷基板,满足大规模生产的需求。
3. 开发新型的微纳加工技术,在陶瓷基板上制备高质量、高密度的金属互连线,提高半导体 IC 的性能和可靠性。
4. 建立科学合理的可靠性测试和评估方法,对陶瓷基板的性能和可靠性进行测试和评估。
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