石化与新材料

集成电路及其制造装备是信息产业的基础，是国家经济与国防安全的关键领域。随着集成电路器件尺寸不断缩小，对材料的要求愈发严格，碳化硅陶瓷由于具有高硬度、低膨胀系数、高温稳定性和耐腐蚀等优秀特性，成为了下一代集成电路制造的理想候选材料。

然而，目前高精密碳化硅陶瓷部件制造技术仍面临诸多技术难题：

 

1. 高纯碳化硅粉体合成难度大：高纯碳化硅粉体质量直接影响陶瓷部件的性能，目前高纯碳化硅粉体工艺难度大，生产成本高，如何解决此问题。

2. 陶瓷部件成型与烧结难度高：碳化硅陶瓷部件成型与烧结工艺要求严格，如何控制碳化硅晶体生长与晶界扩散等过程，以保证陶瓷部件的尺寸精度、强度和可靠性。

3. 成分与结构调控困难：对于不同应用需求，如何对碳化硅陶瓷部件的成分和结构进行精确调控，以满足不同性能要求，这对制造技术提出了更高的要求。

面对这些难题，研究人员期望实现以下主要技术目标：

 

1．高纯碳化硅粉体合成技术：研发高效、低成本的高纯碳化硅粉体合成技术，以满足大规模生产需求。

2．陶瓷部件成型与烧结技术：研发精确控制的陶瓷部件成型与烧结技术，以提高部件尺寸精度、强度和可靠性。

3．成分与结构调控技术：研发精准调控的成分与结构调控技术，以满足不同应用需求。

高精密生产工艺：对生产工艺进行精细化优化，实现高精密生产，提高产品性能和良率。